مشخصه های وابسته به دمای نانو گیت دی الکتریک هافنیوم اکسید در سیلیکون اکسید

thesis
abstract

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار رفته و خواص نانوساختاری آن به کمک تکنیک های پراش اشعه ایکس، طیف سنج تابش مادون قرمز تبدیل فوریه، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پاشندگی انرژی اشعه ایکس، تکنیک cv، میکروسکوپ نیروی اتمی و میکروسکوپ الکترونی عبوری مطالعه می گردد. نتایج بدست آمده نشان می دهد که hfo2 می تواند به عنوان گیت دی الکتریک مناسبی برای ترانزیستور های فلز-اکسید-نیمه رسانای عایق (cmis) باشد.

similar resources

ویژگی های نانو ساختار نقره/اکسید سیلیکون

full text

مشخصه یابی و بررسی خواص دی الکتریک الکتروسرامیک های نانوبلور پایه اکسید نیکل سنتز شده، به روش آلیاژسازی مکانیکی

پیشرفت روزافزون صنعت میکروالکترونیک، نیازمند ارتقای مواد الکترونیکی پیشرفته از جمله سرامیک­های دی­الکتریک با ثابت دی­الکتریک بالا برای کاربردهایی نظیر خازن­ها می­باشد. دی­الکتریک­های برپایه اکسید نیکل دسته­ای از این مواد پیشرفته می­باشند، که به علت داشتن ثابت دی­الکتریک بسیار بالا در محدوده دمایی گسترده، در سال­های اخیر مورد توجه محققان بوده­اند. در این پژوهش، سرامیک­ دی­الکتریک Li0.05Ni0.95O ب...

full text

تاثیر دمای سنتز بر نانو ذرات دی اکسید تیتانیم تهیه شده به روش سونوشیمیایی

در این مقاله، برای بررسی تاثیر دمای سنتز بر نانو ذرات دی اکسید تیتانیم تولید شده به روش سونوشیمیایی از محلول تترا ایزو پروپایلواورتیتانات (C12H28O4Ti)، هیدروکسید سدیم (NaOH) و اتانول به عنوان حلال در سه دمای �C20، �C35 و �C50 استفاده گردید. ابتدا محلولهایی با مولاریتۀ مشخص از C12H28O4Ti و NaOH تهیه شد و در مدت زمان 5/1 ساعت تحت امواج مستقیم التراسونیک توسط دستگاه Sonicator قرار گرفت تا واکنشهای...

full text

جذب کادمیوم از پساب سنتتیک با استفاده از نانو ذره دی اکسید سیلیکون اصلاح شده

چکیده سابقه و هدف: فلزات سنگین همانند کادمیوم اثرات مضر زیادی را در محلول های آبی ایجاد می کند. بنابراین حضور فلزات سنگین در آب های سطحی و زیرزمینی به عنوان مشکل آلاینده معدنی اصلی شده است .روش های مختلفی جهت حذف فلزات سنگین وجود دارد که یکی از بهترین روش ها جذب سطحی است. هدف از این پژوهش حذف یون های کادمیوم دو ظرفیتی از محلول های آبی با استفاده از جاذب نانو دی اکسید سیلیکون اصلاح شده به وسیله ...

full text

ویژگی های نانو ساختار نقره/اکسید سیلیکون

0

full text

و مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023